LED燈珠和LED芯片有什么區(qū)別?

LED芯片是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。它是LED燈珠的心臟。

而LED燈珠則是將LED芯片的一端附在一個(gè)支架上，一端是負(fù)極，另一端連接電源的正極，使整個(gè)晶片被環(huán)氧樹(shù)脂封裝起來(lái)而組成的一個(gè)發(fā)光體。

1、兩者的光線集中度不同，射程也不同：

LED燈珠的角度做的非常小，屬于光線比較集中，射程的很遠(yuǎn)，但是照射范圍有限;而LED貼片的一般角度做的都很大，屬于光線比較散亂，照射范圍廣，但是射程比較近。

2、采用的發(fā)光方式不同：

LED燈珠是采用放電放光，而LED貼片采用於冷性發(fā)光。3、優(yōu)缺點(diǎn)不同：

LED燈珠：對(duì)于led燈珠，led燈珠外形經(jīng)歷了直插、貼片，隨著技術(shù)進(jìn)步，順理成章地出現(xiàn)了將多個(gè)led發(fā)光芯片，高度集成直接封裝在基板上(電路、散熱一體設(shè)計(jì))，形成結(jié)構(gòu)緊湊、大功率、超大功率led發(fā)光元件，這就是“COB”(看似一個(gè)燈珠，實(shí)際上是一組燈珠)。

LED芯片：集成LED一般是市場(chǎng)上對(duì)COB光源的一種別稱，但實(shí)際上并不能將COB光源的特點(diǎn)描述清楚。COB指Chip-On-Board，將小功率芯片直接封裝到鋁基板上快速散熱，芯片面積小，散熱效率高、驅(qū)動(dòng)電流小。因而具有低熱阻、高熱導(dǎo)的高散熱性。

相比普通SMD小功率光源特點(diǎn)：亮度更高，熱阻小(<6℃/W)，光衰更小，顯指更高，光斑完美，壽命長(zhǎng)。

可靠性Reliability是led燈珠的耐久力的測(cè)定，主要典型的ICled燈珠的生命周期可以用浴缸曲線Bathtub Curve表示。

如該圖所示，集成電路的故障原因大致分為三個(gè)階段。

Region（I）被稱為早逝期，這個(gè)階段led燈珠的失效率急速下降，失效的原因是IC設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程的缺陷。

Region（II）被稱為使用期間，該階段led燈珠的失效率穩(wěn)定，失效的原因多為溫度變化等隨機(jī)。

Region（III）被稱為磨損期，這個(gè)階段led燈珠的失效率急速上升，失效的原因是led燈珠長(zhǎng)期使用導(dǎo)致的老化等。

軍需產(chǎn)業(yè)級(jí)零部件老化篩選

設(shè)備壽命測(cè)試

ESD等級(jí)、Latchup測(cè)試評(píng)價(jià)

高溫成分試驗(yàn)

集成電路微缺陷分析

包缺陷無(wú)損檢測(cè)及分析

電氣移動(dòng)、熱載波評(píng)價(jià)分析

根據(jù)考試等級(jí)分為以下種類。

一、使用壽命測(cè)試項(xiàng)目（Life testitems）

EFR：早期失效等級(jí)考試（Early fail Rate Test）

目的：評(píng)估過(guò)程的穩(wěn)定性，加速缺陷的低效，消除因天生原因而失效的led燈珠。

試驗(yàn)條件：在特定時(shí)間內(nèi)使溫度和電壓動(dòng)態(tài)上升led燈珠試驗(yàn)

失效機(jī)制：因生產(chǎn)氧化層缺陷、金屬電鍍、離子污染等而失效的材料或工藝缺陷

基準(zhǔn)：

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

HTOL/LtoL:高/低溫操作壽命測(cè)試（High/Low Temperature Operating Life）

目的：評(píng)估設(shè)備在超熱和超電壓下的耐力

測(cè)試條件：125℃，1.1VCC，動(dòng)態(tài)測(cè)試

失效機(jī)制：電子遷移、氧化層破裂、相互擴(kuò)散、不穩(wěn)定、離子污染等

引用數(shù)據(jù)：

在125°C的條件下通過(guò)1000小時(shí)的試驗(yàn)IC保證4年的持續(xù)使用，2000小時(shí)的試驗(yàn)可以保證8年的持續(xù)使用。150℃1000小時(shí)試驗(yàn)使用保證8年、2000小時(shí)使用保證28年

基準(zhǔn)：

MIT-STD-883E Method 1005.8

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

二、環(huán)境測(cè)試項(xiàng)目Environmental testitems

PRE-CON：預(yù)處理測(cè)試（（Precondition Test）

目的：模擬使用前在一定濕度、溫度條件下保存的耐久力，即IC從生產(chǎn)到使用之間保存的可靠性

THB：加速式溫濕度及偏壓試驗(yàn)（Temperature Humidity Bias Test）

目的：ICled燈珠在高溫、高濕、偏壓條件下對(duì)濕氣的抵抗能力進(jìn)行評(píng)價(jià)，加速其失效過(guò)程

測(cè)試條件：85℃，85%RH，1.1VCC，Static bias

失效機(jī)制：電解腐蝕

基準(zhǔn)：

JESD22-A101-D

EIAJED- 4701-D122

高加速溫濕度及偏壓測(cè)試（HAST:Highly AcceleratEDStress Test）

目的：ICled燈珠評(píng)價(jià)偏壓下的高溫、高濕、高氣壓條件下對(duì)濕度的抵抗能力，加速其失效過(guò)程

測(cè)試條件：130℃，85%RH，1.1VCC，Static bias，2.3atm

失效機(jī)制：電離腐蝕，封裝密封性

基準(zhǔn)：

JESD22-A110

pCT：高壓蒸煮試驗(yàn)PREssure Cook TestAutoclave Test）

目的：ICled燈珠高溫、高濕、高氣壓條件下對(duì)濕度的抵抗能力進(jìn)行評(píng)價(jià)，加速其失效過(guò)程

測(cè)試條件：130℃，85%RH，Static bias，15PSIG（2atm

失效機(jī)制：化學(xué)金屬腐蝕、封裝密封性

基準(zhǔn)：

JESD22-A102

EIAJED- 4701-B123

*HAST和THB的區(qū)別在于溫度高，實(shí)驗(yàn)時(shí)間考慮到壓力因素可以縮短，但pCT不偏壓，濕度增加。

TCT：高低溫循環(huán)測(cè)試（Temperature Cycling Test）

目的：評(píng)估ICled燈珠中不同熱膨脹系數(shù)金屬之間界面的接觸良率。該方法是將循環(huán)流的空氣從高溫反復(fù)變化到低溫。

試驗(yàn)條件：

CONdition B:-55℃ to 125℃

CONdition C: -65℃ to 150℃

失效機(jī)制：電介質(zhì)的斷裂，導(dǎo)體和絕緣體的斷裂，不同界面的分層

基準(zhǔn)：

MIT-STD-883E Method 1010.7

JESD22-A104-A

EIAJED- 4701-B-131

TST：高低溫沖擊試驗(yàn)（ThermAlShock Test）

目的：評(píng)估ICled燈珠中不同熱膨脹系數(shù)金屬之間界面的接觸良率。該方法是由循環(huán)流引起的液體從高溫到低溫的反復(fù)變化。

試驗(yàn)條件：

CONdition B: - 55℃ to 125℃

CONdition C: - 65℃ to 150℃

失效機(jī)制：電介質(zhì)的斷裂、材料的劣化bond wires、導(dǎo)體的機(jī)械變形

基準(zhǔn)：

MIT-STD-883E Method 1011.9

JESD22-B106

EIAJED- 4701-B-141

*TCT和TST的區(qū)別是，TCT偏向package的考試，TST偏向結(jié)晶園的考試

HTST：高溫儲(chǔ)藏試驗(yàn)（High Temperature Storage Life Test）

目的：ICled燈珠評(píng)價(jià)實(shí)際使用前在高溫條件下維持?jǐn)?shù)年不工作狀態(tài)的生命時(shí)間

試驗(yàn)條件：150℃

失效機(jī)制：化學(xué)和擴(kuò)散效果，Au？Al共金效果

基準(zhǔn)：

MIT-STD-883E Method 1008.2

JESD22-A103-A

EIAJED- 4701-B111

可焊性試驗(yàn)（Solderability Test ）

目的：IC leads錫粘合過(guò)程中可靠性的評(píng)價(jià)

測(cè)試方法：

第1步：蒸汽老化8小時(shí)

第二步：在245℃的錫缽中浸泡5秒

失效標(biāo)準(zhǔn)（Failure Criterion）：至少95%的良率

具體的測(cè)試條件和估計(jì)結(jié)果可以參考以下基準(zhǔn)。

MIT-STD-883E Method 2003.7

JESD22-B102

SHTTest：焊接熱耐久測(cè)試（Solder Heat Resistivity Test）

目的：對(duì)瞬間高溫IC靈敏度的評(píng)價(jià)

試驗(yàn)方法：進(jìn)入260°C錫缽10秒

失效標(biāo)準(zhǔn)（Failure Criterion）：根據(jù)電氣試驗(yàn)結(jié)果

具體的測(cè)試條件和估計(jì)結(jié)果可以參考以下基準(zhǔn)。

MIT-STD-883E Method 2003.7

EIAJED- 4701-B106

三、耐久性試驗(yàn)項(xiàng)目（Enderance testitems

循環(huán)耐久試驗(yàn)（Enderance Cycling Test）

目的：評(píng)估非易失性memory設(shè)備的多次讀寫(xiě)后的持續(xù)性能

Test Method：將數(shù)據(jù)寫(xiě)入memory的存儲(chǔ)器單元，刪除數(shù)據(jù)，重復(fù)該過(guò)程多次

試驗(yàn)條件：室溫或以上，每個(gè)數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)次數(shù)達(dá)到100k~100k

基準(zhǔn)：

MIT-STD-883E Method 1033

數(shù)據(jù)保持力測(cè)試（Data Retention Test）

目的：反復(fù)讀寫(xiě)后，加速非易失性memory設(shè)備存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電荷損失

測(cè)試條件：在高溫條件下memory將數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)器單元后，多次讀取驗(yàn)證單元的數(shù)據(jù)

失效機(jī)制：150℃

基準(zhǔn)：

MIT-STD-883E Method 1008.2

MIT-STD-883E Method 1033

相同瓦數(shù)led燈是燈珠好還是cod集成芯片好?

當(dāng)然是燈珠的好，燈珠的是各自封裝成片，對(duì)散熱及光線均勻性都有好處，而且光衰更慢，更加耐用，cob直接用芯片直接封裝的，封裝方式更簡(jiǎn)便，價(jià)格上也就相對(duì)更便宜，但質(zhì)量上比不上用燈珠的。