DUVled燈珠gt;DUVled燈珠原理及特性1、DUVled燈珠的發(fā)光機構(gòu)：pN結(jié)的端電壓形成一定的屏障，施加正偏壓時屏障減少，p區(qū)域和N區(qū)域的大部分的載波相互分散。由于電子遷移率遠(yuǎn)大于空穴遷移率，所以p區(qū)域出現(xiàn)大量電子分布，p區(qū)域形成少量載流子。這種電子與價帶上的空穴復(fù)合，并以光能發(fā)射合成后的能量。也就是pN接合發(fā)光原理。DUVled燈珠線光源硬化裝置DUV信標(biāo)線光源硬化裝置2、DUV信標(biāo)發(fā)光功率：通常稱為組件的外部量子功率，是組件內(nèi)部的量子功率和組合件取出功率的積。我們所說的組件的內(nèi)部量子功率本來是組件本身的光電轉(zhuǎn)換功率，首先涉及組件本身的特性（帶，缺陷，雜質(zhì)等），以及組件本身的屏障結(jié)構(gòu)和結(jié)構(gòu)等。然而，組合件提取能量是指在組合件內(nèi)部產(chǎn)生的光子，并且指的是通過組合件本身的吸收、折射和反射在組合件外部實際操作中可測量的光子數(shù)。因此，作為對取出功率的影響因素，可以列舉元件自身的吸收率、元件的幾何結(jié)構(gòu)、元件與封裝元件的折射率差、元件結(jié)構(gòu)的散射特性等。這里，內(nèi)部量子功率是組件取力的乘積，即整個組件發(fā)射的部分，即組件外部的量子功率。在前期組件的集成過程中，為了提高其內(nèi)部量子功率，首先有一種方法是通過提高屏障質(zhì)量和可變結(jié)構(gòu)的變化，使電能難以轉(zhuǎn)化為熱能，進(jìn)而直接提高深紫外led燈珠的發(fā)光功率，然后提高70%的理論內(nèi)部量子功率，這種內(nèi)部量子功率現(xiàn)在接近理論極限。這樣做的話，只靠進(jìn)步元件的內(nèi)部量子功率是不可能提高元件的總光量的，因此進(jìn)步元件的取出光能成為最重要的研究課題。目前最主要的方法是改變作為顆粒的外部形狀的TIp結(jié)構(gòu)并改變表面粗糙度。

3.深紫外led燈珠電特性：電流控制型裝置，負(fù)荷特性與pN結(jié)的UI曲線相似，導(dǎo)通電壓的極小變化帶來正向電流（指數(shù)級）的顯著變化，反向泄漏電流小，也有反向破壞電壓。需要選擇適合實際使用的方法。深紫外led燈珠的正向電壓隨著溫度的增加而減小，溫度系數(shù)為負(fù)。深顏色的紫外線led燈珠需要消耗電力，部分地轉(zhuǎn)換成光能。剩余部分轉(zhuǎn)化為熱能，增加了接合溫度?？梢杂梅懦龅臒幔üβ剩﹣肀硎?。4.深紫外led燈珠的光學(xué)特性：深紫外led燈珠由于半導(dǎo)體的能隙隨著溫度的上升而減少，所以其發(fā)光峰值波長隨著溫度的上升而增加，即提供光譜紅移，溫度系數(shù)為+2~3A/。深顏色的紫外LED珠的亮度L根據(jù)正向電流而變化。通過增加電流，可以近似地提高發(fā)光亮度。環(huán)境溫度越高，復(fù)合功率越低，發(fā)光強度越低，其他發(fā)光亮度也越低。深紫外led燈珠熱特性：電流小，溫度上升不顯著。環(huán)境溫度高時，深紫外發(fā)光珠的主波長紅移，亮度降低，發(fā)光均勻性降低，一致性變差。特殊點矩陣、大屏幕溫度上升對LED的可靠性和穩(wěn)定性有很大影響。因此，散熱設(shè)計很重要。六、深紫外led燈珠壽命：深紫外led燈珠的長期動作導(dǎo)致光衰減老化，特別是大功率深紫外led燈珠的光衰減問題更嚴(yán)重。在測量深紫外線led燈珠的壽命的情況下，光將燈泡的損傷程度作為深紫外線led燈珠的壽命的結(jié)束值是不夠的，應(yīng)該用深紫外線led燈珠的衰減率來表示LED的壽命，例如35%是合理的。高功率深紫外發(fā)光二極管封裝：首先考慮散熱和發(fā)射。在散熱方面，采用銅基散熱襯里，與鋁基散熱器連接，在微粒和熱襯里之間采用錫片焊接，這種散熱方式效果更好，性價比更高。在出射面選擇芯片跳躍技術(shù)，在底面和側(cè)面增加反射面使之反射光能源，能得到更多的消除光。